Publication of the journal

1. Макушин М. В. Тенденции развития силовой электроники // Электроника: НТБ. 2019. № 8 (189). С. 50–55. https://doi.org/10.22184/1992-4178.2019.189.8.50.55. – EDN: VBQZIN.

2. A review on the GaN-on-Si power electronic devices / Y. Zhong, J. Zhang, S. Wu et al. // Fundamental Research. 2022. Vol. 2. Iss. 3. P. 462–475. https://doi.org/10.1016/j.fmre.2021.11.028

3. Stork J. M. C., Hosey G. P. SOI technology for power management in automotive and industrial applications // Solid-State Electronics. 2017. Vol. 128. P. 3–9. https://doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.033

4. Ultra-stable epitaxial polysilicon resonators / E. J. Ng, S. Wang, D. Buchman et al. // 2012 Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems Workshop. Hilton Head, SC: Transducer Research Foundation, 2012. P. 271–274. http://doi.org/10.31438/trf.hh2012.73

5. Suzuki T., Mimura A., Kamei T., Ogawa T. Deformation in dielectric-isolated substrates and its control by a multilayer polysilicon support structure // J. Electrochem. Soc. 1980. Vol. 127. No. 7. P. 1537–1541. https://doi.org/10.1149/1.2129945

6. Mechanical characterization of thick polysilicon films: Young’s modulus and fracture strength evaluated with microstructures / S. Greek, F. Ericson, S. Johansson et al. // J. Micromech. Microeng. 1999. Vol. 9. No. 3. P. 245–251. https://doi.org/10.1088/0960-1317/9/3/305

7. Пат. 2393585 РФ. Способ формирования полупроводниковых структур / А. Ф. Волков, В. В. Козихин, Е. М. Соколов и др.; заявл. 28.04.2009; опубл. 27.06.2010, Бюл. № 18. 9 с. EDN: POMSHH.

8. Wang T. H., Ciszek T. F. Growth of large-grain silicon layers by atmospheric iodine vapor transport // J. Electrochem. Soc. 2000. Vol. 147. No. 5. P. 1945–1949. https://doi.org/10.1149/1.1393463

9. Material properties of polysilicon layers deposited by atmospheric pressure iodine vapor transport / T. H. Wang, T. F. Ciszek, M. Page et al. // Conference Record of the Twenty-Eighth IEEE Photovoltaic Specialists Conference – 2000 (Cat. No. 00CH37036). Anchorage: IEEE, 2000. P. 138–141. https://doi.org/10.1109/PVSC.2000.915773

10. APIVT-grown silicon thin layers and PV devices / T. H. Wang, T. F. Ciszek, M. R. Page et al. // Conference Record of the Twenty-Ninth IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2002. New Orleans, LA: IEEE, 2002. P. 94–97. https://doi.org/10.1109/PVSC.2002.1190464

11. Газотранспортный хлоридный перенос кремния в сэндвич-системе / Ю. Н. Баранов, К.-Г. М. Шварц, Е. М. Соколов и др. // Наноиндустрия. 2018. № S (82). C. 273–280. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2018.82.273.280. – EDN: XQVMQP.

12. Suzuki T., Mimura A., Ogawa T. The deformation of polycrystalline-silicon deposited on oxide-covered single crystal silicon substrates // J. Electrochem. Soc. 1977. Vol. 124. No. 11. P. 1776–1780. https://doi.org/10.1149/1.2133155

13. Kamins T. I. Deformation occurring during the deposition of polycrystalline-silicon films // J. Electrochem. Soc. 1974. Vol. 121. No. 5. P. 681–684. https://doi.org/10.1149/1.2401887

14. Chen L., Miao J., Guo L., Lin R. Control of stress in highly doped polysilicon multi-layer diaphragm structure // Surf. Coat. Technol. 2001. Vol. 141. Iss. 1. P. 96–102. https://doi.org/10.1016/S0257-8972(01)01163-X

15. Управление прогибом структур кремния в технологии хлоридных газотранспортных реакций / Д. В. Тарасов, Ю. Н. Баранов, С. Д. Федотов и др. // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1 (113). С. 118–123. http://doi.org/10.22184/1993-8578.2022.15.8s.118.123. – EDN: MGWFLB.

16. Freund L. B., Suresh S. Thin film materials: Stress, defect formation and surface evolution. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2004. 750 p. http://doi.org/10.1017/CBO9780511754715

17. Добрынин А. В. О применимости формулы Стони для расчета механических напряжений в толстых пленках и покрытиях // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. № 18. С. 32–36. EDN: RYNGVN.